BEHLKE電源穩(wěn)壓器電子元器件型號解析

Behlke 產品組C3 - MOSFET，可變導通時間，低耦合電容

1）HTS 901-10-LC2，低電容MOSFET開關，采用高壓瞬態(tài)LC2技術。該開關旨在滿足非常苛刻的工業(yè)要求。隔離電壓> 150 kV      （可選高達300 kV）。內置控制單元（可更換）。90 kVDC，100 A.導通電阻<40歐姆。開啟上升時間<50 ns。  

2）HTS 901-10-LC2，如上所述，但帶有選件SEP-C（獨立控制單元）和選件DLC（直接液體冷卻）。  

3）HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET開關，帶選件TH（管狀外殼）和選件DLC（直接液體冷卻）。100 kVDC，200 A pk。，上升時間<50 ns，大值 功耗30千瓦     

Behlke 產品組C4 - 溝槽FET，可變導通時間，高電流，低電阻

1）HTS 71-13-BC，緊湊型系列。新的TRENCH FET技術，具有低導通電阻。7.8 kVDC，130 A pk，<1 Ohm，tr <10 ns。尺寸79 x 38 x 17 mm 

2）HTS 61-23-B，新的溝槽FET，具有低導通電阻和高峰值電流。帶可選銅散熱片（選件CF）。6.5 kVDC，230 A pk，Ron <0.4 Ohm，tr <15ns  

3）HTS 231-52-B，新的Trench FET技術，具有低導通電阻和高峰值電流。23 kV，520 A，<0.7 Ohm，tr <20 ns。使用選件CF-X2（散熱片X2）和C-DR（驅動器散熱）   
  

Behlke 產品組C5 - MOSFET，可變導通時間，雙極性，用于交流和直流電壓

1 ）HTS 61-01-AC-C，用于交流，直流和雙極直流電壓的MOSFET開關。緊湊型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米。6 kVAC（pk）/ 15 A（pk）。  

2）HTS 131-26-AC-B，用于交流，直流和雙極直流電壓的溝槽FET開關。帶可選銅散熱片（選件CF）和屏蔽輸入（選件LS-C）。13 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。  

3）HTS 231-26-AC-B，溝槽FET開關，用于交流，直流和雙極直流電壓。帶可選銅散熱片（選件CF）和屏蔽輸入（選件LS-C）。23 kVAC（pk）/ 260 A（pk）。

4）  各種MOSFET交流開關，30至70 kV / 100 A，帶管狀外殼（選件TH）和直接液冷（選件DLC）。    

HTS 31-GSM介紹：
HTS 31-GSM推挽式開關由兩部分組成交替控制的固態(tài)開關轉向由大量MOSFET組成平行并且串聯。 HTS 31-GSM擁有全部*的HTS系列的優(yōu)點開關，例如控制簡單，電流高隔離，精確切換特性，高可靠性，長壽命和小尺寸。 push-pul這里描述的開關可以首先用于產生高邊緣的真正方波脈沖主要是電容性或電阻性的陡度加載。帶推挽式開關的發(fā)電機解決方案與單開關相比具有明顯的優(yōu)勢關于功耗和工作電阻脈沖下垂。特別是超大的儲能電容器和強大的高壓電源可以在純電容的情況下可以省去裝載，因為不需要提供真正的電力整個脈沖持續(xù)時間，就像*的數字CMOS-ICS具有可觀的功耗僅在較高頻率下出現。興衰開關輸出的時間幾乎相同并且第1次有可能產生極其精確的高壓方波脈沖僅使用一個組件，具有成本效益。 HTS31-GSM配備了抗噪聲控制電路，確保始終正確的時間內部開關元件甚至多困難的操作條件。通過監(jiān)視和調節(jié)輸入信號不能發(fā)生不飽和的轉換。一個內置的具有自動復位功能的thermotrigger提供防止中長期過熱。

HTS 31-GSM連接和操作：
HTS 31-GSM可以產生正，負和雙極脈沖。相應的附件高壓側的電路如圖所示相鄰圖。為了短暫的過渡緩沖電容器CB至少應該具有的時間負載電容CL的值的十倍。該串聯電阻器Rs不是必要的推薦用于阻抗匹配和阻尼累積瞬變，用于短路保護，有時還可以減輕負擔該切換電容功率耗散。在可能的阻抗的情況下匹配它應該注意靜態(tài)上電阻Rstat隨流動的負載電流而變化。因此，在高電容和a相應的高脈沖電流Rs的值有時候可以減少到更短的時間過渡時期。好確定佳值根據經驗，盧比的價值關于邊緣陡度的個別要求和瞬態(tài)響應。帶負載電容超過1 nf的峰值電流應該是有限的通過盧比達到30安培。

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